[18p-N302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-N302-7] ショットキー接合のC-V測定によるp型GaNの実効アクセプタ密度評価の精度に関する理論的検討

〇(M1)六野 祥平¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：p型GaN、Mg、TCAD

p型GaNでアクセプタ不純物として用いられるMgの不純物準位は深いため、室温では完全にイオン化せず、応答速度も遅い。そのため、高周波C-V測定においてはアクセプタが応答できず容量値が変化することが報告されている。本研究では、TCADシミュレーションにより、p型GaNのショットキー接合のC-V特性の周波数依存性、測定される見かけの実効アクセプタ密度について検討を行った。