[18p-N302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-N302-9] 高圧アニールによるMgイオン注入GaNのアクセプタ形成の実証

〇櫻井 秀樹^1,2,3、山田 真嗣^1,2,3、高良 昭彦³、堀田 昌宏^1,2、Bockowski Michal^1,4、須田 淳^1,2、加地 徹¹ (1.名大 IMaSS、2.名大院工、3.(株)アルバック半電研、4.UNIPRESS)

キーワード：窒化物半導体、Mgイオン注入、高圧アニール

より高性能なGaNパワーデバイスを実現するために、任意領域への電界緩和構造や低コンタクト領域等を形成可能とするイオン注入技術は重要である。これまでに我々はGaN-on-GaN構造へのMgイオン注入と活性化処理に高圧アニールを適用した試料について低温CL評価やpn-diode特性評価を行い、p型化実証を報告してきた。今回これらの作製プロセスを経た試料についてホール効果測定素子を形成し、温度特性評価を行ったので報告する。本研究は文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」の委託を受けたものです。また研究の一部はthe Polish National Science Centre (NCN) のプロジェクトNo 2018/29/B/ST5/00338の助成を受けて行われたものです。