16:00 〜 18:00
▲ [18p-PB2-2] The effect of Hf-ion implantation on the charge trapping characteristics of MONOS-type memory devices
キーワード：Non-volatile memories, Ion-implantation, ESR
講演情報
一般セッション(ポスター講演)
13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術
[18p-PB2-1~4] 13.3 絶縁膜技術
2019年9月18日(水) 16:00 〜 18:00 PB2 (第二体育館)