[18p-PB4-1~12] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

△ [18p-PB4-3] Band Structure Analysis of the Bulk Lifetime-Control Defects
in Silicon Crystals for Power Device Application

〇(M2)Daiki Tsuchiya¹, Koji Sueoka², Hidekazu Yamamoto³ (1.Grad-school of OPU, 2.Okayama Pref. Univ., 3.Chiba Tech.)

Keywords:First-principles calculation, lifetime-control, vacancy

パワーデバイス用Si結晶において，炭素酸素不純物が深い準位の空孔欠陥に反応することでライフタイムの制御性に影響を及ぼしているものと考えられる．これまでに空孔V，リンPと炭素，酸素不純物間の相互作用に注目し構造変化の過程を報告したが，今回はそこで得られた最安定構造についてバンド構造を求めた．得られたバンド構造に対して比較し，バンド構造の変化について報告する．