[19a-E304-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [19a-E304-10] 高密度電極接続を用いた三次元集積のための低背マイクロバンプ接合評価

〇三輪 侑紀¹、李 晟豪²、梁 芮¹、熊原 宏征¹、木野 久志³、福島 誉史²、田中 徹^1,2 (1.東北大院医工、2.東北大院工、3.東北大学際研)

キーワード：マイクロバンプ、三次元、狭ピッチ

ムーアの法則の限界が見えてきたいま、システムレベルの集積化による高性能化が重要視されている。特にTSVを用いた三次元集積化が注目を集めており、その鍵であるマイクロバンプ接合では、マイクロバンプのピッチ縮小が要求されている。 狭ピッチ化にはバンプの低背化と狭ギャップへのアンダーフィリングが必要となる。本研究では極薄NCFによるアンダーフィリングにより良好な低背マイクロバンプ接合を実現した。