2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[19a-E305-1~12] 13.3 絶縁膜技術

2019年9月19日(木) 09:00 〜 12:15 E305 (E305)

藤井 章輔(東芝メモリ)、堀田 育志(兵庫県立大)

10:15 〜 10:30

[19a-E305-6] ALD法で形成したHfO2/TiO2/SiO2構造中の界面ダイポール変調

浅沼 周太郎1、住田 杏子1、宮口 有典2、堀田 和正2、神保 武人2、齋藤 一也2、宮田 典幸1 (1.産総研、2.アルバック)

キーワード:HfO2、メモリ、ALD