[19a-E305-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[19a-E305-9] HfO₂強誘電体トンネル接合メモリの書き換えサイクル特性向上

〇山口 まりな¹、藤井 章輔¹、株柳 翔一¹、上牟田 雄一¹、井野 恒洋¹、中崎 靖¹、高石 理一郎¹、市原 玲華¹、齋藤 真澄¹ (1.東芝メモリ)

キーワード：強誘電体HfO2、強誘電体トンネル接合、メモリ

薄膜強誘電体HfO₂を用いたトンネル接合メモリ(HfO₂ FTJ)は、nAオーダでの低電流動作、整流性などの優れた性能が確認されている一方、高信頼化が課題である。本研究では、動作方式の改良により、HfO₂-FTJの書き込み消去サイクル特性を向上させた結果について報告する。