[19a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-E310-10] AlGaN/GaInN/GaNヘテロ電界効果トランジスタ型可視光センサの応答特性

〇(M1)藤嶋 遼¹、坂田 芽久美¹、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大理工、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：光センサ

本研究機関ではこれまでに、p型GaN光ゲートを用いたAlGaN/GaInN/GaN HFET型光センサを用いることによって受光端波長480nm、450nmの光に対して受光感度が10⁴A/W、100μW/cm²の照射下でリジェクション比10⁶以上の優れた特性を得ることが可能であることを報告してきた。その一方で同デバイスの応答特性は未報告であったた。本報告では上記HFET型光センサの光応答特性を評価を報告する。