[19a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-E310-3] GaN導波路型微小二重共振器第二高調波発生デバイスの設計と試作

〇永田 拓実¹、上向井 正裕¹、彦坂 年輝²、布上 真也²、森川 隆哉¹、藤原 康文¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.大阪大工、2.東芝)

キーワード：導波路、第二高調波発生、共振器

窒化物半導体結晶は高い非線形光学特性と光損傷耐性を有するため波長変換デバイスへの応用が期待されるが、周期分極反転構造の形成が困難な上、長い相互作用長が必要となる。本研究室ではバルク微小二重共振器型SHGデバイスを提案し、青色SHG実証に成功した。さらに導波路とすることでバルクデバイスに対して大幅な高効率化が期待できる。本研究ではGaN導波路型微小共振器SHGデバイスの設計を行い、その試作を行ったので報告する。