[19a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-E310-4] AlN導波路第二高調波発生デバイスのための集光グレーティング結合器

〇(M2)森岡 佳紀¹、上向井 正裕¹、上杉 謙次郎²、正直 花奈子²、三宅 秀人²、森川 隆哉¹、藤原 康文¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.大阪大学、2.三重大学)

キーワード：AlN、グレーティング結合器、光導波路

我々はAlN横型擬似位相整合チャネル導波路SHGデバイスを作製し、青色領域におけるSHGを実証した。しかし、その導波路断面は微小であり、端面結合によるレーザ光入射は非常に困難である。導波路型グレーティング結合器を用いれば、その開口の大きさより入射ビームの位置合わせが格段に容易となる。本研究では、AlNチャネル導波路にレーザ光を結合させる集光グレーティング結合器とテーパ型導波路の設計と作製を行った。