[19a-PB3-1~25] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[19a-PB3-8] Photoluminescence properties of P-doped β-FeSi₂ films

〇Kensuke Akiyama^1,2, Sakiko Nojima¹, Ryo Takahashi¹, Hiroshi Funakubo² (1.Kanagawa Inst. Ind. Sci. Tech., 2.Tokyo Inst. Tech.)

Keywords:iron die-silicide semiconductor, Photoluminescence

シリサイド半導体の一つである鉄シリサイド半導体(β-FeSi₂)において、我々は窒素（N）をドーピングすることでPL発光強度の温度消光特性が改善し、290Kまでの発光を報告した。このNドーピングの効果は、電気陰性度の大きさに起因すると考えられる、本発表では、有機金属気相成長(MOCVD)法で合成したβ-FeSi₂において、PをドーピングすることでPL発光の温度消光特性が改善されPL発光強度の増大化が観察されることを報告する。