[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19a-PB5-17] Wedge-shape geometry法を用いたAlGaN(0001)における表面エネルギーの評価

〇永井 勝也¹、積木 伸之介¹、秋山 亨¹、アブドルムィッツ プラディプト¹、中村 浩次¹、伊藤 智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：AlGaN、表面エネルギー、第一原理計算

AlGaNはⅢ族原子の組成比の変化に伴ってバンドギャップを変化させることができるため深紫外線発光デバイスなどへの応用が期待されている。本研究ではAlGaNにおける表面エネルギーの算出方法をwedge-shape geometry法に基づき考案し、異なるAl組成のAlGaNにおける表面エネルギーを算出し、その計算結果に基づきAlGaNにおける表面構造および表面エネルギーの組成依存性について検討する。