[19p-B11-1~8] 界面ナノ電子化学『多様化する半導体ウェットプロセス』

[19p-B11-3] ⅢⅤ族化合物半導体における水との表面反応メカニズム考察

〇西尾 賢哉¹、大井上 昂志¹、齋藤 卓¹、萩本 賢哉¹、岩元 勇人¹、小川 祐一²、井田 純一² (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ、2.栗田工業)

キーワード：ⅢⅤ族化合物半導体、InP、In2O3

先端Logic向けにⅢⅤ族半導体材料の開発が進められている。我々は、これまでInPについて、表面に形成されるIn₂O₃は純水中で成長し、デバイスの界面特性に影響を与えることを明らかにした。本検討では、InPの酸化反応には純水中のOH^-基が関与していることを考慮して、ORPが低い水素水の低pH領域におけるIn₂O₃成長挙動を評価した。結果として、水素水にHClやHNO₃を添加した低pH条件では、水素水のみの条件よりもIn₂O₃の成長が抑制されることが分かった。