[19p-E206-1~19] 3.15 シリコンフォトニクス

△ [19p-E206-10] CMOSプロセス加工Siプラットフォーム上ハイブリッド光デバイスに向けたInP/Si直接接合へのSi側ダミーパターンの影響

〇御手洗 拓矢¹、稲村 美希³、阿部 智之³、守田 憲司¹、雨宮 智宏^1,2、西山 伸彦^1,2 (1.東工大工、2.東工大 未来研、3.アユミ工業)

キーワード：異種材料集積

シリコンフォトニクス技術を用いた大規模集積回路の実現に向け、InP系材料をSiウェハ上にハイブリッド集積するための直接接合技術が検討されてきた。一方、シリコンフォトニクス作製で利用されるCMOSプロセスラインにおいては、ローディング効果の影響を排除し均一性の良いエッチングを実現するために、ダミーパターンが全面に形成される。今回、ダミーパターンによって接合にどのような影響が及ぼされるかを評価したのでご報告する。