[19p-E206-1~19] 3.15 シリコンフォトニクス

[19p-E206-11] III-V/SiハイブリッドSOA高効率動作に向けた光学利得の熱抵抗依存性検討

〇宮嵜 隆之¹、御手洗 拓矢¹、Eissa Moataz¹、雨宮 智宏^1,2、西山 伸彦^1,2 (1.東工大工、2.東工大未来研)

キーワード：半導体、半導体光増幅器、熱抵抗

大規模な光集積回路の実現に向けた有効なアプローチとしてSiプラットフォーム上へのIII-V族半導体集積が注目を集めている。我々は、直接接合技術を用いたIII-V/SOIハイブリッドデバイスを提案している。これまでにハイブリッドレーザの他、ハイブリッド光増幅器（SOA）を作製し、測定を行っているが、わずか数kA/cm²での利得飽和が観測され、我々は熱抵抗が主な原因であると考えている。今回、ハイブリッドレーザの光学利得について熱抵抗依存性に関する解析を行ったので、ご報告する。