[19p-E206-1~19] 3.15 シリコンフォトニクス

[19p-E206-13] μ-トランスファープリンティングに適した2段テーパInP導波路/Si導波路の光結合設計

〇高 磊¹、平谷 拓生²、八木 英樹²、鍬塚 治彦¹、岡野 誠¹、大野 守史¹、河島 整¹、鈴木 恵治郎¹、藤原 直樹²、小路 元²、山田 浩治¹ (1.産総研、2.住友電工)

キーワード：トランスファープリンティング、III-V半導体、Siフォトニクス

μ-トランスファープリンティング技術によるIII-V族半導体レーザ光源のシリコンフォトニクス集積へむけて，高効率光結合が可能な2段テーパInP導波路/Si導波路構造について提案する．光伝搬シミュレーションに加え，実験により本設計の有用性を検証した．