[19p-E206-1~19] 3.15 シリコンフォトニクス

△ [19p-E206-15] SiN_x層上へのGeの選択化学気相堆積

〇(M1)上野 湧希¹、小山田 亮太¹、佐々木 駿²、中井 哲弥²、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大、2.SUMCO)

キーワード：シリコンフォトニクス、窒化シリコン、ゲルマニウム

シリコンフォトニクスにおいて、デバイス作製にはSOI(Si-on-insulator)基板が一般に利用されている。SOIに代わるプラットフォームとして、バルクSi基板上にSiN_x/SiO₂層を形成した構造を検討してきた。しかし、Ge受光器との集積が難しい欠点がある。本研究では、SiN_x光導波路とGeデバイスの集積化に向け、SiN_x層上へのGeの直接堆積を検討した。SiO₂をマスクとした選択堆積が可能であることを示すとともに、堆積したGeの構造評価を行った。