[19p-E206-1~19] 3.15 シリコンフォトニクス

[19p-E206-5] テーパー構造を用いないハイブリッドMOS型光位相シフタの検討

〇(M1)大野 修平¹、李 強¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大工)

キーワード：光位相シフタ

シリコン導波路による大規模光集積回路に適した光位相シフタとして、ハイブリッドMOS型光位相シフタが提唱されている。この光位相シフタをシリコン導波路と結合損失なく接続するためにはテーパー構造を必要とするが、これは素子小型化の妨げとなる。テーパーを不要とするには、化合物半導体の薄層化が有効である。​本研究では化合物半導体層を薄くしたMOS型光位相シフタについて数値解析し、テーパーレス構造の実現可能性を検討した。