[19p-E207-1~9] 3.11 フォトニック構造・現象

[19p-E207-4] 局所的な膜厚揺らぎによる高Q値Siナノ共振器の動作波長ばらつき

〇田中 捺美¹、田中 健悟²、浅野 卓²、野田 進²、高橋 和¹ (1.大阪府大院工、2.京大院工)

キーワード：フォトニクス

先行研究において我々は，λばらつき低減には，高Q値化と同様に，空気孔揺らぎ（円孔中心と半径）を小さくすることが重要であることを明らかにしてきた．しかしこれまで，作製精度の向上により実験Q値が1000万以上まで増大する一方で，λばらつきは期待されるほどは低減してこなかった．今回，局所的なシリコンスラブの膜厚揺らぎもλばらつきに強く影響していることが示唆されたので報告する．