[19p-E305-1~15] 13.3 絶縁膜技術

△ [19p-E305-2] コンダクタンス法を用いたSi系絶縁膜に形成されたプラズマ誘起欠陥密度の定量評価

〇久山 智弘¹、占部 継一郎¹、江利口 浩二¹ (1.京大院工)

キーワード：プラズマ誘起欠陥、コンダクタンス法、Si系絶縁膜

半導体プラズマプロセスでは，加工中の高エネルギーイオン入射により材料表面近傍に欠陥（プラズマ誘起欠陥）が形成される．これまで絶縁膜中の固定電荷型欠陥の評価が進められてきたが，リーク電流増加に寄与する電子捕獲・放出型欠陥の評価は不十分であった．本発表では，等価回路モデルを用いたコンダクタンス法によるSi系絶縁膜中の欠陥面密度および欠陥の電子捕獲放出時定数の定量手法を提案する．