[19p-E305-1~15] 13.3 Insulator technology

[19p-E305-3] Effect of process conditions on properties of an OER- CVD SiO₂ film at room temperature

〇Takayuki Hagiwara¹, Naoto Kameda¹, Toshinori Miura¹, Yoshiki Morikawa¹, Mitsuru Kekura¹, Ryoji Kosugi², Ken Nakamura², Hidehiko Nonaka² (1.Meidensha Corp., 2.AIST)

Keywords:ozone oxidation, CVD, SiO2 film

室温成膜技術は、有機ELディスプレイ等フレキシブルエレクトロニクス分野で用いられる耐熱性の低いフレキシブル基板上でのデバイス作製プロセスに必要である。我々は、CVD成膜温度の低温化のため、高純度(約100%)オゾンガスとエチレンガスの反応によるOHラジカル生成技術 （OER法）をCVDに適用し、室温でのSiO₂成膜を可能にした。今回、プロセス条件を変えて成膜し、室温成膜で求められる膜質特性について報告する。