[19p-E305-1~15] 13.3 Insulator technology

[19p-E305-4] Role of O₂ plasma on electrical characteristics improvement of ALD-deposited SiO₂ by microwave plasma

〇Toshiya Suzuki¹, Niklas Holm¹, Vaino Kilpi¹, Tom Blomberg¹ (1.Picosun Oy)

Keywords:Atomic layer deposition, Silicon dioxide, PEALD

原子層堆積法 (ALD) はその膜厚均一性や段差被膜性の高さから、ゲート酸化膜やデバイスの保護膜形成などに応用が期待されている。しかしながらALDはプロセス温度が低く反応性が低いため、膜中の不純物を取り除くことが難しく、高絶縁特性を得ることが困難である。我々はこの課題を克服するために酸化剤であるプラズマを高密度化及び伝達効率の改善を行い、SiO₂膜の電気特性にどのように影響するかを調査した。