[19p-E308-1~13] 17.3 Layered materials

[19p-E308-11] Insulating properties of few-layer h-BN films synthesized by sputtering method

〇Daiyu Kondo^1,2, Kenjiro Hayashi^1,2, Masako Kataoka¹, Shintaro Sato^1,2 (1.Fujitsu Labs., 2.Fujitsu)

Keywords:graphene, h-BN, synthesis

我々は次世代チャネル材料としてシリコンを凌駕する電子移動度を示すグラフェンの高いポテンシャルに着目し、グラフェン及びグラフェンナノリボンの合成及びデバイス作製プロセス開発を行ってきた。今回、我々はスパッタ法を用いてh-BN薄膜の合成を試みたので詳細を報告する。