[19p-E308-1~13] 17.3 層状物質

[19p-E308-11] スパッタ法で合成したh-BN薄膜とその絶縁特性

〇近藤 大雄^1,2、林 賢二郎^1,2、片岡 真沙子¹、佐藤 信太郎^1,2 (1.富士通研、2.富士通)

キーワード：graphene、h-BN、合成

我々は次世代チャネル材料としてシリコンを凌駕する電子移動度を示すグラフェンの高いポテンシャルに着目し、グラフェン及びグラフェンナノリボンの合成及びデバイス作製プロセス開発を行ってきた。今回、我々はスパッタ法を用いてh-BN薄膜の合成を試みたので詳細を報告する。