[19p-E308-1~13] 17.3 層状物質

△ [19p-E308-6] スパッタ法と硫黄雰囲気アニールで成膜した高いホール効果移動度を持つ層状ZrS2膜

〇(D)濱田 昌也¹、松浦 賢太朗¹、宗田 伊理也¹、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、筒井 一生¹、若林 整¹ (1.東京工業大学)

キーワード：ZrS2、TMD、層状物質

層状ZrS2膜は二次元半導体遷移金属ダイカルコゲナイドの一つであり、適度なバンドギャップ（単層1.08 eV）と高い移動度（1,200 cm2V-1s-1）を持つことから低消費電力IoTデバイス等への応用が期待される。先行研究ではスパッタ法によって層状半導体MoS2膜の成膜に成功しており、硫黄雰囲気アニール処理によって電気特性が向上することが報告されている。本研究ではスパッタリング法と硫黄雰囲気アニールを用いた層状ZrS2膜の成膜について調査した。