Basic characteristics of ultrathin InN layers prepared by sputtering on various AlN templates

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年9月19日(木) 13:15 〜 19:00 E310 (E310)

荒木努(立命館大)、片山竜二(阪大)、石井良太(京大)

18:30 〜 18:45

〇(M2)Dayeon Jeong¹、Atsushi Kobayashi¹、Kohei Ueno¹、Hiroshi Fujioka^1,2 (1.Institute of Industrial Scienc, The University of Tokyo、2.JST-ACCEL)

キーワード：nitride crystal