2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶

[19p-E313-1~9] 15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶

2019年9月19日(木) 13:30 〜 15:45 E313 (E313)

黒澤 昌志(名大)

14:30 〜 14:45

[19p-E313-5] Si(110)基板上のSiGeの臨界膜厚に関する研究

〇(M2)斎藤 慎吾1、佐野 雄一1、有元 圭介1、山中 淳二1、原 康祐1、中川 清和1 (1.山梨大学)

キーワード:臨界膜厚、SiGe、歪み

電子デバイスの性能向上には移動度の向上が有効である。先行研究により「歪みSi/ SiGe/Si(110)」構造における(110)面歪みSi薄膜は高い正孔移動度が得られている。更に高い移動度を得るためには、表面の平坦性を向上させることが必要である。(110)面歪みSi薄膜状には、結晶内のマイクロ双晶に起因する表面モフォロジーが現れることが分かっている。良質な膜を形成するためには、SiGe層の結晶欠陥および移動度に影響を及ぼす表面モフォロジーに関する更なる知見が重要となる。Si(110)ではSi(001)と比較し臨界膜厚がより薄い膜厚であることが予想される。そこで本実験では、Ge組成約10~30%のSiGe/Si(110)構造の試料の結晶成長の進行に伴う表面形状・緩和率の変化を調べる。