[19p-E313-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [19p-E313-5] Si(110)基板上のSiGeの臨界膜厚に関する研究

〇(M2)斎藤 慎吾¹、佐野 雄一¹、有元 圭介¹、山中 淳二¹、原 康祐¹、中川 清和¹ (1.山梨大学)

キーワード：臨界膜厚、SiGe、歪み

電子デバイスの性能向上には移動度の向上が有効である。先行研究により「歪みSi/ SiGe/Si(110)」構造における(110)面歪みSi薄膜は高い正孔移動度が得られている。更に高い移動度を得るためには、表面の平坦性を向上させることが必要である。(110)面歪みSi薄膜状には、結晶内のマイクロ双晶に起因する表面モフォロジーが現れることが分かっている。良質な膜を形成するためには、SiGe層の結晶欠陥および移動度に影響を及ぼす表面モフォロジーに関する更なる知見が重要となる。Si(110)ではSi(001)と比較し臨界膜厚がより薄い膜厚であることが予想される。そこで本実験では、Ge組成約10～30％のSiGe/Si(110)構造の試料の結晶成長の進行に伴う表面形状・緩和率の変化を調べる。