[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB3-4] GaNのプラズマエッチングダメージ導入メカニズムの検討

〇神宮 明良¹、安念 将慶¹、中村 成志¹ (1.首都大SD)

キーワード：プラズマエッチングダメージ、GaN