[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB3-5] 電気化学インピーダンス法を用いたn-GaN加工表面の評価 (2)

〇武田 健太郎¹、渡久地 政周¹、佐藤 威友¹ (1.北大量集セ)

キーワード：電気化学インピーダンス分光法、PECエッチング

これまでに、n型GaN表面に導入された加工損傷を、溶液中の光電気化学（PEC）反応を利用して除去する低損傷エッチング法を開発し、その効果を溶液中でその場（in-situ）評価する手法を検討してきた。今回は、トラップ準位を仮定した溶液/n-GaN界面の等価回路モデルと、それを利用した電気化学インピーダンス分光（EIS）法による解析結果について報告する。