[19p-PB4-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[19p-PB4-5] SiO₂/SiC界面電気特性のBa増速酸化温度依存性

〇辻 英徳¹、寺尾 豊¹、細井 卓治²、張 旭芳³、矢野 裕司³、志村 考功²、渡部 平司² (1.富士電機、2.阪大院工、3.筑波大)

キーワード：半導体、SiC、MOS