[19p-PB6-1~9] 31.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

[19p-PB6-1] Ta₂O₅+Ag共蒸着膜表面における銀原子の析出/固溶特性

〇(M1)和田 直也¹、長谷川 剛¹ (1.早大応物)

キーワード：抵抗変化メモリ