09:45 〜 10:00
[20a-B31-4] 高品質IGZO膜の成膜技術開発
キーワード:酸化物半導体、IGZO、スパッタ
Magnetron sputter cathodeのtarget裏面に設置されたmagnetを3種類の磁場強度で準備し、channel層成膜時のplasma密度を変化させたTFT伝達特性を評価した。TFTの初期伝達特性では、磁場強度依存性は確認されなかったが、信頼性評価においては、磁場強度に依存する信頼性の改善が得られた。
一般セッション(口頭講演)
合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
09:45 〜 10:00
キーワード:酸化物半導体、IGZO、スパッタ