2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-B31-1~12] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2019年9月20日(金) 09:00 〜 12:15 B31 (B31)

浦岡 行治(奈良先端大)、井手 啓介(東工大)

10:45 〜 11:00

[20a-B31-7] 高移動度酸化物薄膜トランジスタにおける信頼性劣化現象

高橋 崇典1、藤井 茉美1、宮永 美紀2、Bermundo Juan Paolo1、石河 泰明1、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.住友電気工業株式会社)

キーワード:酸化物半導体、薄膜トランジスタ、信頼性

本研究では高移動度酸化物半導体In-W-Zn-Oを用いた薄膜トランジスタの直流および交流電圧による駆動時において、発光現象を伴う特異な信頼性劣化現象を観測した。