[20a-C309-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

△ [20a-C309-3] 対向ターゲット式スパッタリング法によるHf_0.5Zr_0.5O₂薄膜の作製

〇(M2)河本 泰輝¹、大田 宗司¹、広藤 裕一¹、小池 一歩¹、矢野 満明¹、門倉 貞夫²、中光 豊³ (1.大阪工大ナノ材研、2.FTSコーポレーション、3.ULVAC)

キーワード：酸化ハフニウム・ジルコニウム、対向ターゲット式スパッタ法、構造解析

酸化ハフニウム・ジルコニウム（HZO）薄膜は強誘電体メモリの候補材料として注目されている．今回我々は，プラズマダメージを抑制できる対向ターゲット式スパッタリング法でHZO薄膜を成膜した結果を報告する．基板にはTiN膜をコーティングしたSi(100)基板を用いた。400℃で加熱成膜した場合，安定相monoclinic構造が支配的になったが，室温成膜したアモルファス薄膜を600℃以上で熱処理すると強誘電相のorthorhombic構造が支配的になることがわかった．