[20a-E301-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [20a-E301-12] Al₂O₃/p-GaN MOS構造に対する熱処理の効果

〇古川 暢昭¹、上沼 睦典¹、Kotzea Simon²、石河 泰明¹、Vescan Andrei²、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.アーヘン工科大)

キーワード：窒化ガリウム、p型、熱処理

GaN MOSデバイスにおいては，絶縁膜/GaN異種接合界面の品質によってデバイス特性が著しく低下する．そのため，堆積絶縁膜及び界面制御は重要な課題である．p-GaN MOSキャパシタの電気的特性に関する報告はいくつかなされているが，C-V特性において大きなヒステリシスが観測される，蓄積状態が確認されないなど課題が多い．本研究では，p-GaNを用いたMOSキャパシタを作製し，その電気的特性に対する熱処理の効果を検討した．