[20a-E301-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [20a-E301-8] SiO₂膜中へのGa拡散制御によるゲート絶縁膜信頼性の改善

〇(M1)和田 悠平¹、野崎 幹人¹、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：半導体、GaN、ゲート絶縁膜

高性能GaNパワーMOSFETの実現には、高品質なゲートスタックの形成が不可欠である。これまで我々は、SiO₂/GaN構造の熱酸化によりGaO_x界面層を有したMOSキャパシタを作製、良好な界面特性を報告してきた。この熱処理は一方で、Gaの拡散によるゲート絶縁膜信頼性劣化が懸念される。今回はSiO₂のパターニングによってGa拡散を制御したSiO₂/GaN MOSデバイスの信頼性改善について報告する。