[20a-E301-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [20a-E301-9] PMA処理を行ったAl₂O₃/GaN MOSダイオードにおけるガンマ線照射によるフラットバンド電圧の負方向シフトの膜厚依存性

〇青島 慶人¹、堀田 昌宏^1,2、金木 奨太³、須田 淳^1,2、橋詰 保³ (1.名大院工、2.名大未来研、3.北大量エレ研)

キーワード：MOSダイオード、窒化ガリウム、界面準位

ALD堆積Al₂O₃/GaN MOSダイオードにおいてPost-Metallization Annealing (PMA)処理によりC-V特性の改善が報告されているが、そのメカニズムは不明である。我々はこれまでに、PMA処理あり・なしのAl₂O₃/GaN MOSダイオードに対してガンマ線を照射し、C-V特性の変化を調べ、フラットバンド電圧のシフトがPMAの有無で異なることを報告した。今回は、PMAの有無による違いの原因を解明すべく、3種類の酸化膜膜厚のAl₂O₃/GaN MOSダイオードを用意し、ガンマ線を照射することで、酸化膜中の電荷分布を調べた。