[20a-E307-1~6] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

[20a-E307-2] ジフェニルスルホン酸生成促進剤による化学増幅型レジストの感度向上

〇(M2)河合 俊平¹、岡本 一将²、大沼 正人¹、古澤 孝弘² (1.北大院工、2.阪大産研)

キーワード：レジスト

化学増幅型レジスト(CAR)はEUVレジストとして有望であるが、依然として3 つの性能指数(感度、解像度、ラフネス)の要求を同時に満たすCARの開発が課題となっている。我々は以前Di-p-tolyl sulfone [DTS] (Fig. 1(a))の添加によりCARの酸収量が増加しEB露光に対するレジスト性能が向上することを報告した¹⁾。そこで本研究では新たなジフェニルスルホン誘導体添加によるCARの電子線リソグラフィ(EBL)およびEUVLへの影響を調べた。