[20a-E311-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-E311-10] 反転層移動度に対するSiO₂/SiC界面のクーロン散乱体の影響

〇畠山 哲夫^1,2、染谷 満²、平井 悠久²、原田 信介² (1.富山県立大工、2.産総研)

キーワード：移動度、MOS界面、クーロン散乱

反転層の界面量子化による多バンドの電子構造を反映したクーロン散乱体の新しい遮蔽理論に基づく移動度計算を行った。界面に荷電eをもつクーロン散乱体を密度2E13 cm^-2で配置し移動度を計算した。この系では界面にクーロン散乱体があるため移動度の基板濃度依存性が大きい。特に基板濃度が1E15cm^-2以下では電子が基板の奥方向に広がるため、クーロン散乱体との距離が広がり、移動度は大きく改善する。