[20a-E311-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20a-E311-3] リン処理を施したSiC MOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層アクセプタ密度依存性

〇伊藤 滉二¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2、木本 恒暢¹ (1.京大院工、2.名大院工)

キーワード：SiC、MOS、MOSFET