2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[20a-E311-1~11] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2019年9月20日(金) 09:00 〜 12:00 E311 (E311)

松下 雄一郎(東工大)

09:30 〜 09:45

[20a-E311-3] リン処理を施したSiC MOSFETにおけるチャネル移動度のボディ層アクセプタ密度依存性

伊藤 滉二1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.名大院工)

キーワード:SiC、MOS、MOSFET