[20a-E311-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [20a-E311-4] Observation of interface state density distribution in macrostepped SiO₂/SiC using local-DLTS

〇Anna Hosaka¹, Kohei Yamasue¹, Judith Woerle^2,3, Corrado Bongiorno⁴, Gabriel Ferro⁵, Ulrike Grossner², Massimo Camarda^2,3, Cho Yasuo¹ (1.Tohoku Univ., 2.ETH Zurich, 3.Paul Scherrer Institute, 4.CNR-IMM, 5.Lyon Univ.)

Keywords:Scanning Nolinear Dielectric Microscopy, local DLTS, SiC

SiCはパワーデバイス用の優れた特性を持つ新規半導体材料として注目を集めており，SiC-MOSFETのチャネル移動度向上に向けて，SiO₂/SiC界面における界面準位密度（D_it）の低減は重要な課題である．そこで本研究では,異なる面方位をもつテラスとマクロステップを有するSiO₂/SiCのD_it分布を走査型非線形誘電率顕微鏡（SNDM）を応用した局所DLTS法を用いて観察した.その結果,マクロステップにおけるD_itはテラスの2倍程度の値を持つことが分かった.