[20a-E311-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [20a-E311-6] Analysis of Three-Level Charge Pumping Characteristics of
4H-SiC MOSFETs Considering Near-Interface Traps

〇Yuta Matsuya¹, Xufang Zhang¹, Dai Okamoto¹, Noriyuki Iwamuro¹, Hiroshi Yano¹ (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:3-level Charge Pumping, MOSFET, Near-Interface Traps

4H-SiC パワー MOSFETは高密度の界面準位が課題となっている。高性能なデバイスを開発するためには、正確な界面特性を評価することが重要である。MOSFETを用いた界面準位評価法にチャージポンピング(CP)法がある。3レベルチャージポンピング(3L-CP)法では通常の2レベルCP法より界面準位に関する多くの情報が得られる。今回、SiC MOSFETの3L-CP特性について界面近傍酸化膜トラップを考慮した解析を行い、界面準位の捕獲断面積の導出を行った。