[20a-E311-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [20a-E311-8] Analysis of conduction mechanism of hole leakage current in thermally grown oxide on p-channel 4H-SiC MOSFETs

〇Hiroki Nemoto¹, Dai Okamoto¹, Xufang Zhang¹, Mitsuru Sometani², Mitsuo Okamoto², Tetsuo Hatakeyama², Shinsuke Harada², Noriyuki Iwamuro¹, Hiroshi Yano¹ (1.Univ.Tsukuba, 2.AIST)

Keywords:p-channel SiC MOSFET, reliability, oxide

ｐチャネルSiC-MOSFETはCMOS-ICや相補型インバータへの応用に必要であり、近年大きな注目を集めている。しかし、その信頼性は未だ不十分であり、中でも酸化膜リーク電流に関する報告例はほとんどない。そこで本研究では、リーク電流を各キャリア電流に分離し測定するキャリアセパレーション法を用いて、電子と正孔それぞれの酸化膜リーク電流伝導機構を解析し、新たな特性の解明を試みた。