[20a-E311-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20a-E311-8] pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析

〇根本 宏樹¹、岡本 大¹、張 旭芳¹、染谷 満²、岡本 光央²、畠山 哲夫²、原田 信介²、岩室 憲幸¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大学、2.産総研)

キーワード：ｐチャネルSiC MOSFET、信頼性、酸化膜

ｐチャネルSiC-MOSFETはCMOS-ICや相補型インバータへの応用に必要であり、近年大きな注目を集めている。しかし、その信頼性は未だ不十分であり、中でも酸化膜リーク電流に関する報告例はほとんどない。そこで本研究では、リーク電流を各キャリア電流に分離し測定するキャリアセパレーション法を用いて、電子と正孔それぞれの酸化膜リーク電流伝導機構を解析し、新たな特性の解明を試みた。