[20a-E314-1~8] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[20a-E314-4] Discrimination between random and Σ3ⁿ grain boundaries in multicrystalline silicon using quaternion expression

〇Takuto Kojima¹, Kazuya Tajima², Tetsuya Matsumoto¹, Hiroaki Kudo¹, Noritaka Usami² (1.Nagoya Univ. Info., 2.Nagoyoa Univ. Eng.)

Keywords:multicrystalline silicon, EBSD, CSL grain boundary

HP多結晶シリコン基板中の三重点近傍の転位クラスター発生源となった粒界に隣接した結晶粒の方位関係を四元数計算を用いてΣ3ⁿ回転操作に帰着した．帰着されたΣ3ⁿ回転操作は高次であり，EBSDの測定精度と結晶歪を考慮した許容誤差中には複数の候補が存在した．高次のΣ3ⁿ回転操作の方位差分布を理論的なランダム方位分布と比較し，方位差最小のみからランダム粒界と高次のΣ3ⁿ粒界を識別することが困難であることを示した．