[20a-E314-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

[20a-E314-4] 四元数計算を用いた多結晶シリコンにおけるランダム粒界と Σ3ⁿ粒界の識別手法

〇小島 拓人¹、田島 和哉²、松本 哲也¹、工藤 博章¹、宇佐美 徳隆² (1.名大院情報、2.名大院工)

キーワード：多結晶シリコン、EBSD、対応粒界

HP多結晶シリコン基板中の三重点近傍の転位クラスター発生源となった粒界に隣接した結晶粒の方位関係を四元数計算を用いてΣ3ⁿ回転操作に帰着した．帰着されたΣ3ⁿ回転操作は高次であり，EBSDの測定精度と結晶歪を考慮した許容誤差中には複数の候補が存在した．高次のΣ3ⁿ回転操作の方位差分布を理論的なランダム方位分布と比較し，方位差最小のみからランダム粒界と高次のΣ3ⁿ粒界を識別することが困難であることを示した．