[20p-B31-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20p-B31-12] 多段ELOによるα型酸化ガリウム結晶の貫通転位密度の低減

〇河原 克明¹、大島 祐一²、沖川 満¹、四戸 孝¹、人羅 俊実¹ (1.FLOSFIA、2.NIMS)

キーワード：酸化ガリウム、HVPE、ELO

α-Ga₂O₃は次世代パワーデバイス半導体材料として有望であるが、融液成長法が困難なことにより、結晶成長はヘテロエピタキシーにより行われる。α-Ga₂O₃には格子不整合により高密度の転位が発生するため、α-Ga₂O₃デバイス性能の向上のために転位を低減する必要がある。本研究ではHVPE法に多段ELO技術を適用したので報告する。