[20p-B31-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20p-B31-15] 紫外レーザー室温照射によるβ-Ga₂O₃(−201)薄膜合成と構造・特性制御

〇(M2)森田 公之¹、松島 拓海¹、土嶺 信男²、金子 智^3,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.(株)豊島製作所、3.神奈川県産技総研)

キーワード：酸化ガリウム、エキシマレーザーアニーリング、室温

β型酸化ガリウム（β-Ga₂O₃）は約4.9 eVのバンドギャップを持つワイドギャップ半導体であり、紫外域のオプトエレクトロニクスや高耐圧パワーデバイスなどへの応用が期待される。我々はエキシマレーザーアニーリング（ELA）や緩衝層を用いた室温プロセスでのエピタキシャルβ-Ga₂O₃薄膜の合成について報告してきた。ELAでは紫外レーザーを用いた非平衡なエネルギー導入と短パルス幅による極短時間の結晶化が可能であり、ドーパント蒸発や分相析出を抑制し特異的なドーピングも期待できる。本研究ではELA合成におけるβ-Ga₂O₃薄膜の構造・物性制御を目的として、界面に注目した構造解析やドーパントが結晶性・配向性や導電性に与える影響について検討した。