2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-B31-1~17] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2019年9月20日(金) 13:45 〜 18:30 B31 (B31)

大島 孝仁(FLOSFIA)、藤原 宏平(東北大)、宇野 和行(和歌山大)

16:00 〜 16:15

[20p-B31-9] Si基板上へのSi/Gd2O3ヘテロ構造のMBE成長

Viviana Fili1、Wojciech Szuba1、徐 学俊1、稲葉 智宏1、〇俵 毅彦1,2、尾身 博雄1,2、後藤 秀樹1 (1.NTT物性研、2.NTTナノフォトニクスセンタ)

キーワード:希土類酸化膜